1
2
3
4
報考專業：集成電路科學與工程
考試科目：半導體物理
考試代碼：821
考試參考書：
1. 劉恩科, 半導體物理學[M] (第8版). 電子工業出版, 2023
考試總分：150分
考試時間：3小時
一、 考試目的與要求
《半導體物理》是與集成系統專業和微電子科學與工程等相關專業的核心基礎課程。本課程聚焦半導體物理的基礎理論和主要性質，希望通過學習，學生能夠為學習半導體器件和集成電路相關課程打下必要的專業基礎，培養學生基于基礎理論解決實際工程問題的能力，為從事與集成電路相關工作奠定基礎。
要求考生：
(1) 全面、系統地掌握集成電路制造工程及納電子科學相關基本概念與基礎理論;
(2) 具備運用半導體物理基礎理論分析并解決集成電路制造領域實際問題的基本能力。
二、 考試內容
第一章 摻雜半導體的導電性
1.摻雜和載流子;
2.電導率和電阻率，遷移率;
3.四探針測電阻率。
復習重點：
掌握摻雜，熟悉電導率和電阻率和遷移率之間的相互關系;掌握四探針測電阻率的原理、適用條件和修正。電導率或電阻率和遷移率之間的相互關系;溫度、摻雜濃度對遷移率的影響，影響飄移運動的因素，晶格散射，電離雜質散射。計算摻雜濃度，四探針測量電阻率的原理和使用條件。
第二章 能級和載流子
1.量子態和能級;費米能級;;
2.多子和少子的熱平衡;
3.電子的平衡統計分布規律;
4.非平衡載流子的復合和擴散。
復習重點：掌握量子態和能級的概念;多子和少子的熱平衡濃度計算;理解費米能級的概念和電子的費米統計分布規律;掌握非平衡載流子的復合和擴散，擴散電流。
第三章 PN結
1. PN結的電流-電壓關系;
2. 空間電荷區中的復合和產生電流;
3. 晶體管的電流放大作用;
4. 高摻雜的半導體和PN結;
5. PN結的擊穿;
6. PN結電容;
7. 金屬-半導體接觸。
復習重點：PN結的物理特性以及能帶圖，PN結接觸電勢差的計算，PN結的電流電壓PN結電容的意義和計算，PN結的擊穿機制和金屬-半導體接觸。
第四章 半導體表面
1.表面空間電荷區及反型層;
2.MIS電容器---理想C(V)特性;
3.實際MIS電容器的C(V)特性及應用;
4.硅-二氧化硅系統的性質;
5.MOS場效應晶體管;
6.電荷耦合器件。
復習重點：表面態的形成機制和表面電場效應、掌握表面勢和表面電導的計算方法，理解MIS結構的電容-電壓特性，表面電場對PN結特性的影響。
第五章 晶格和缺陷
1.半導體中的電子狀態;
2.晶格;
3.空位和間隙原子;
4.半導體異質節等概念;
5.半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象;
6.拓展學習非晶態半導體。
復習重點：掌握金剛石、閃鋅礦晶體結構特點;理解并掌握Si單晶的劃片方向與晶體結構的關系;掌握位錯、層錯的產生方式和對器件的影響。
三、 試卷結構
(1)基本知識與基本概念題 (約50分)
(2)簡答題(60分)
(3)綜合論述及應用題(40分)
原標題：2025年初試科目考試大綱
文章來源：https://ge.sues.edu.cn/29/66/c19716a272742/page.htm
